在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
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在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
影响超声清洗的因素
清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，是在清洗过程中液体静止不流动，这时泡的生长和闭·运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭·运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。
清洗液中气体的含量对超声波清洗效果也有影响。在清洗液中如果有残存气体(非空化核)会增加声传播损失，此外在空化泡运动过程中扩散到泡中的气体，在空化泡崩溃时会降低冲击波强度而削弱清洗作用。因此有些超声清洗设备具有除气功能，在开机时先进行低于 空化阈值的功率水平作振动，以脉冲或间歇方式振动进行除气．然后功率加到正常清洗的功率水平进行超声清洗。
按照清洗机方法的不同，也概略分为物理清洗机与化学清洗机：垄断力学、声学、光学，电学、热学的情理，依靠外来能量的劝化，如机械答辩、超声波、负压、低压．)中击。紫内线、蒸汽等去除物体外表污垢的方法叫物理清洗机；依靠化学反馈的劝化，垄断化学药品或此外溶剂革除物体外表污垢的方法叫化学清洗机．如用各种有机或有机酸去除物体外表的锈迹、水垢，用腐蚀剂去除物体外表的污渍，用杀菌剂。消毒剂杀灭微生物并去除霉斑等．物理清洗机与化学清洗机都存在着各自的优弊端，又存在很好的互补性。在实际应用过程当中，通常凡是把二者涣散起来应用，以得到更好的清洗机成就。
以上信息由专业从事湿法腐蚀的苏州晶淼半导体于2023/6/8 10:19:28发布
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